[发明专利]薄膜磁头的制造方法及其制造装置有效
申请号: | 00100490.5 | 申请日: | 2000-01-28 |
公开(公告)号: | CN1262503A | 公开(公告)日: | 2000-08-09 |
发明(设计)人: | 加藤政人;宫岛茂信 | 申请(专利权)人: | 阿尔卑斯电气株式会社 |
主分类号: | G11B5/127 | 分类号: | G11B5/127;G11B5/31 |
代理公司: | 永新专利商标代理有限公司 | 代理人: | 程伟 |
地址: | 日本国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 在对叠层设置在棒状滑动体上的薄膜磁性元件的暴露表面实施研磨加工、以调整磁性阻抗效应元件的磁阻体高度值时,其棒状滑动体上的暴露表面与磁性阻抗效应元件的相对面之间的差量(凹退量)比较大,从而会使薄膜磁头的品质下降。本发明通过采用在磁性阻抗效应元件的磁阻体高度值进入至与精加工制成品值相关的公差范围内,且直至由研磨加工开始时的加工时间超过预定时间之前,持续进行研磨加工的方式,可以明显减小这种凹退量。 | ||
搜索关键词: | 薄膜 磁头 制造 方法 及其 装置 | ||
【主权项】:
1.一种薄膜磁头用制造方法,它是一种在基板上形成包含有由诸如绝缘层、磁性层、导电层等薄膜层叠层构成的磁性阻抗效应元件的薄膜磁性元件,而且一边对所述磁性阻抗效应元件的电阻值实施测定,一边对所述基板和所述磁性阻抗效应元件沿着高度方向实施研磨加工,从而对磁阻体高度值实施调整的制造方法,其特征在于,在加工时间超过预定时间,且所述电阻值或由该电阻值换算出的磁阻体高度值进入至与精加工制成品值相关的公差范围内之前,持续进行研磨加工。
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