[发明专利]减少转移器件泄漏的DRAM单元及其制造工艺无效
| 申请号： | 00106752.4 | 申请日： | 2000-04-18 |
| 公开（公告）号： | CN1283870A | 公开（公告）日： | 2001-02-14 |
| 发明（设计）人： | 法里德·阿加西;查尔斯·海姆布里;赫伯特·霍;拉德西卡·斯里尼瓦桑 | 申请（专利权）人： | 国际商业机器公司;英芬能技术北美公司 |
| 主分类号： | H01L21/8242 | 分类号： | H01L21/8242;H01L27/108 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 于静 |
| 地址： | 美国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种用于DRAM单元的转移器件。形成转移器件的沟道,使沟道的硼离子浓度最高,由此增加了DRAM单元的阈值电压,并降低了截止电流。还公开了这种转移器件的制造工艺。 | ||
| 搜索关键词： | 减少 转移 器件 泄漏 dram 单元 及其 制造 工艺 | ||
【主权项】：
1．一种DRAM单元的转移器件的制造工艺，DRAM单元具有电容器、阈值电压以及截止电流，工艺包括以下步骤：(a)形成具有源区、漏区、以及沟道区的硅衬底；以及(b)将硼离子注入到硅衬底内，注入的步骤使沟道区的硼离子浓度最高，由此增加了DRAM单元的阈值电压，并降低了截止电流。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
