[发明专利]在半导体晶片上形成铜层的方法

摘要

一种在晶片(20)上电镀铜层(118)的方法以得到改进的铜互连的方式向电镀系统(10)的阴极提供功率。控制系统(34)用两个或多个以下周期的混合周期向系统(10)的阴极提供功率(Ⅰ)正低功率DC周期(201或254);(Ⅱ)正高功率DC周期(256或310);(Ⅲ)低功率、脉冲正功率周期(306或530);(Ⅳ)高功率、脉冲正功率周期(212、252、302或352);和/或(Ⅴ)负脉冲周期(214、304、510、528或532)。这些周期的集合用来将铜或类似的金属电镀在晶片(20)上。在电镀期间,执行现场处理控制和/或终点探测(506、512或520),以进一步改进产生的铜互连。

主权项

1.一种在晶片(20)上形成铜层的方法，该方法的特征在于：将该晶片(20)设置在电镀室(10)中，该电镀室(10)具有一个控制系统(34)，其中该控制系统(34)通过至少一个电接点(18)电连接到晶片(20)，该电接点(18)向晶片(20)提供功率；在第一功率电平上向晶片(20)提供第一时间周期长的第一功率；并且在跟随第一时间周期的第二时间周期期间，向晶片(20)提供正脉冲的第二功率，该第二功率具有接通时间周期和断开时间周期，并且其中：(1)在第二时间周期的接通时间周期期间施加给晶片(20)的第二功率电平大于在第一时间周期期间所使用的第一功率电平；并且(2)在第二时间周期的断开时间周期期间施加给晶片(20)的第三功率电平小于在第一时间周期期间所使用的第一功率电平。