[发明专利]电子传导相比例低的多相固体离子和电子传导膜及其制法无效
| 申请号： | 00108383.X | 申请日： | 2000-02-01 |
| 公开（公告）号： | CN1305864A | 公开（公告）日： | 2001-08-01 |
| 发明（设计）人： | 陈皆成;C·J·比塞克;R·普拉萨德;T·J·马扎尼克 | 申请（专利权）人： | 普拉塞尔技术有限公司;BP阿莫科公司 |
| 主分类号： | B01D71/02 | 分类号： | B01D71/02;H01M4/94 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 魏金玺,杨丽琴 |
| 地址： | 美国康*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种多相固体电解质离子迁移隔膜,包括至少两相,其中一相包括氧离子单一传导材料,另一相包括电子传导金属或金属氧化物传导相,其以低体积百分比存在。达到此结果的一种方法是通过从聚合物中沉积金属或金属氧化物将少数相掺入粉末中,隔膜是由该粉末制成,该聚合物通过聚合在可聚合的有机单体或预聚合物中的螯合金属分散体制备。多相组合物有利地包括陶瓷材料的第一相和金属或金属氧化物的第二相,该相粘结在陶瓷材料的表面上。第二种方法是由两种粉末的混合物制造隔膜,其中一种含有两相的混合物。 | ||
| 搜索关键词： | 电子 传导 相比 多相 固体 离子 及其 制法 | ||
【主权项】：
1．一种具有离子和电子传导率的多相固体电解质致密的或多孔基质，包括：以混合的金属氧化物形式的具有离子传导率的第一相，和分布在整个基质中、是电子传导金属、合金或混合的金属氧化物的第二相，所说的第二相占所说基质体积的至少1％和小于30％。
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