[发明专利]半导体装置的制造方法和半导体装置

摘要

提供一种制造半导体装置的方法,其中,可得到谋求减少漏泄电流而不将集成度损害到必要程度以上的MOS晶体管。在形成具有第1侧壁10的MOS晶体管结构4～10后,在整个面上形成层间绝缘膜11。在该层间绝缘膜11上淀积氮化硅膜12a。其次,只在存储单元区MA中贯通层间绝缘膜11和氮化硅膜12a形成槽31和32,使侧壁10的侧面露出。然后,在存储单元区MA中与侧壁10邻接地形成作为第2侧壁的侧壁34。

主权项

1．一种半导体装置的制造方法，该方法是在第1导电型的半导体衬底的上层部中形成的第1区域和第2区域中分别形成第2导电型的第1和第2MOS晶体管的方法，其特征在于，具备下述步骤：(a)在上述第1和第2区域中分别形成第2导电型的第1源／漏区对、位于上述第1源／漏区对间的第1导电型的沟道区和位于上述沟道区上的栅电极区的步骤；(b)在上述第1和第2区域各自的栅电极区的侧面上形成第1侧壁的步骤；(c)在整个面上形成层间绝缘膜，只在上述第1区域中贯通上述层间绝缘膜并形成槽以使上述第1侧壁的侧面露出的步骤；以及(d)在包含上述槽内部的上述第1侧壁的侧面上的整个面上形成了第2侧壁形成用绝缘膜之后，通过除去上述槽内部以外的上述第2侧壁用绝缘膜在上述第1侧壁的侧面上形成第2侧壁的步骤，在上述第1区域中，利用上述第1和第2侧壁、上述第1源／漏区对、上述沟道区和上述栅电极区构成上述第1MOS晶体管，在上述第2区域中，利用上述第1侧壁、上述第1源／漏区对、上述沟道区和上述栅电极区构成上述第2MOS晶体管。