[发明专利]高分子基PTC材料制备的工艺方法无效
| 申请号： | 00112556.7 | 申请日： | 2000-09-18 |
| 公开（公告）号： | CN1343560A | 公开（公告）日： | 2002-04-10 |
| 发明（设计）人： | 杨杰 | 申请（专利权）人： | 扬州芬尔机械配件有限公司 |
| 主分类号： | B29C47/36 | 分类号： | B29C47/36;C08K3/04;C08L101/12 |
| 代理公司： | 扬州市锦江专利事务所 | 代理人： | 江平 |
| 地址： | 225003*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 高分子基PTC材料制备的工艺方法,属高分子化工技术领域。本发明公开了由包括高分子基体、导电粒子和助剂经密炼、挤出制备PTC材料的工艺方法,其要点是在挤出过程中加入过氧化物引发剂、含弧对电子的小分子物质、含大π键的小分子物质、含不饱和键的极性物质,并发生反应,将高分子基体的分子链接枝到导电粒子表面。本发明工艺先进、合理,流程短,成本低,制备的PTC材料热敏电开关特性好。 | ||
| 搜索关键词： | 高分子 ptc 材料 制备 工艺 方法 | ||
【主权项】：
1、一种高分子基PTC材料制备的工艺方法，由包括高分子基体、导电粒子和助剂经密炼、挤出完成，其特征在于在待挤出料中或挤出过程中加入过氧化物引发剂、含大π键的小分子物质。
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