[发明专利]二氧化钒纳米粉体和纳米陶瓷的制备方法无效
| 申请号： | 00117321.9 | 申请日： | 2000-08-04 |
| 公开（公告）号： | CN1279211A | 公开（公告）日： | 2001-01-10 |
| 发明（设计）人： | 郑臣谋;张介立 | 申请（专利权）人： | 中山大学 |
| 主分类号： | C01G31/02 | 分类号： | C01G31/02;C04B35/495 |
| 代理公司： | 中山大学专利事务所 | 代理人： | 叶贤京,林灿志 |
| 地址： | 510275 *** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明涉及VO2及其掺杂物纳米粉体和纳米陶瓷的制备方法。该方法采用V2O5还原制VOCl2溶液,再用VOCl2溶液制成氧钒(Ⅳ)碱式碳酸铵前驱体,经前驱体热分解制得VO2纳米粉体,最后经压片烧结就可得VO2纳米陶瓷。本发明工艺简单,能耗小,投资小,造价低,便于规模生产,且陶瓷强度大,热电性能好。 | ||
| 搜索关键词： | 氧化 纳米 陶瓷 制备 方法 | ||
【主权项】：
1．一种二氧化钒纳米粉体的制备方法，其特征是该制备方法的步骤为：1)用H2C2O4·2H2O和N2H2·2HCl在盐酸介质中将V2O5还原制备VOCl2溶液；2)用步骤1)制得的VOCl2溶液与(NH4)2CO3或NH4HCO3反应制备氧钒(Ⅳ)碱式碳酸铵前驱体，在无水乙醇中将前驱体超声破碎至粒度≤2μm；3)将步骤2)制得的前驱体在惰性气氛或含氧惰性气氛中热分解得VO2粉体，加热温度350～700℃。
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