[发明专利]氟肝素双重修饰人工晶体的方法及产品无效
申请号: | 00122850.1 | 申请日: | 2000-08-30 |
公开(公告)号: | CN1340362A | 公开(公告)日: | 2002-03-20 |
发明(设计)人: | 顾汉卿;袁佳琴;陆茉珠;孙慧敏;郭红玉;王桂琴;张海文;李德军;徐延山 | 申请(专利权)人: | 天津开发区泰达生物材料与医学工程研究所 |
主分类号: | A61L27/00 | 分类号: | A61L27/00;A61F2/16 |
代理公司: | 天津市专利事务所 | 代理人: | 张国庆,王融生 |
地址: | 300457 天津市经*** | 国省代码: | 天津;12 |
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摘要: | 氟肝素双重修饰人工晶体的方法及产品应用载能离子束技术,在低温5~80℃条件下,采用离子注入技术对人工晶体表面实施氟离子肝素双重修饰。其化学性能稳定、机械性能不变,增强了生物相容性,晶体表面既有肝素表面亲水性,又增加了氟离子处理,晶体表面疏水性,使IOL表面的亲疏水基团达到平衡,经实验证实氟肝素双重修饰的人工晶体、更安全、生物相容性好,达到了减少并发症的目的。 | ||
搜索关键词: | 肝素 双重 修饰 人工 晶体 方法 产品 | ||
【主权项】:
1.一种氟肝素双重修饰人工晶体的方法,其特征在于人工晶体表面经氟离子和肝素双重化学修饰的方法,应用载能离子束技术,在低温5~80℃条件下,采用离子注入技术对人工晶体表面实施氟离子注入,再进行肝素修饰,得到的人工晶体表面生物相容性增强,晶体表层,带有浅黄色。
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