[发明专利]半导体保护器件及其制造方法无效
| 申请号： | 00124355.1 | 申请日： | 2000-09-08 |
| 公开（公告）号： | CN1288263A | 公开（公告）日： | 2001-03-21 |
| 发明（设计）人： | 成田薰 | 申请（专利权）人： | 日本电气株式会社 |
| 主分类号： | H01L23/60 | 分类号： | H01L23/60;H01L27/06;H01L21/82 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 穆德骏,方挺 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 使形成在半导体保护电路中的闸流管的阳极与阴极之间的距离和二极管的阳极与阴极之间的距离小到LSI制造技术所允许的程度,从而实现在导通条件下的快速启动速度和低的内部电阻,从而即使在施加高速脉冲时,也可限制内部电路上的电压升高。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 保护 器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1．一种半导体保护器件，包括：第一导电类型的第一阱；第二导电类型的第二阱，其直接与所述第一阱连接；第一导电类型的第三阱，其直接与所述第二阱的一个侧面连接，该侧面与连接所述第一阱的侧面相向设置，三个阱都形成在衬底上；在第二导电类型的所述第二阱内形成的第一导电类型的第一扩散层；形成在所述第一导电类型的所述第一阱内、且设置在与所述第一扩散层接近的相向位置上的第二导电类型的第二扩散层；第二导电类型的第三扩散层，设置在第二导电类型的所述第二阱和第一导电类型的所述第三阱的边界部分上的位置处，以便桥接在它们之间，所述位置与第二导电类型的所述第二阱和第一导电类型的所述第一阱的边界部分上的位置不同，在该位置上，所述第一扩散层和所述第二扩散层接近地相向设置；和设置在所述第一导电类型的所述第三阱内的第一导电类型的第四扩散层，该扩散层与所述第二导电类型的所述第三扩散层接近地相向形成；其特征在于，所述第一和所述第三扩散层与第一端子连接，而所述第二和所述第四扩散层与第二端子连接。
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