[发明专利]积层陶瓷电子元件的制造方法有效
| 申请号： | 00126278.5 | 申请日： | 2000-06-30 |
| 公开（公告）号： | CN1285598A | 公开（公告）日： | 2001-02-28 |
| 发明（设计）人： | 大塚幸司 | 申请（专利权）人： | 太阳诱电株式会社 |
| 主分类号： | H01G4/30 | 分类号： | H01G4/30;H01G13/00 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 魏金玺,邰红 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 在脱粘合剂时,可均匀地从各个陶瓷积层体中去除有机物,抑制特性偏差,且提高脱粘合剂处理后对陶瓷积层体的处理,得到信赖性很高的积层陶瓷电子元件。在对未烧成陶瓷积层体3进行脱粘合剂处理时,使脱粘合剂后的陶瓷积层体3中的有机物为0.5—8.5重量%,最好1.0—5.0重量%。该脱粘合剂处理工序,在使用惰性气体的环境气中进行,在脱粘合剂工序中,将未烧成陶瓷积层体3的内部电极5,6脱粘合剂起始温度设定为高于陶瓷层7的脱粘合剂起始温度。 | ||
| 搜索关键词： | 陶瓷 电子元件 制造 方法 | ||
【主权项】：
1．一种积层陶瓷电子元件的制造方法，该方法是包括对在内部由陶瓷层(7)和以贱金属膜形成的内部电极(5)、(6)数层交替形成积层的未烧成陶瓷积层体(3)进行脱粘合剂处理的工序，和对脱粘合剂处理的未烧成陶瓷积层体(3)进行烧成的工序的积层陶瓷电子元件的制造方法，其特征是使脱粘合剂后的陶瓷积层体(3)中的有机物含量为0.5～8.5重量％。
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