[发明专利]发光化合物半导体装置及其制造方法无效
| 申请号： | 00128644.7 | 申请日： | 2000-09-18 |
| 公开（公告）号： | CN1344035A | 公开（公告）日： | 2002-04-10 |
| 发明（设计）人： | 林明德 | 申请（专利权）人： | 连勇科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;H01S5/00 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 陶凤波 |
| 地址： | 台湾省*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 一种具有单一打线接合特征的发光化合物半导体装置及其制造方法。此发光化合物半导体装置具有一形成于一绝缘基板上的GaN型半导体层状结构。GaN型半导体层状结构的周缘部分受蚀刻,使得该n型层周缘部分的显露表面低于该n型层的中央部分的表面。一n型电极形成于该n型层的显露表面,而一p型电极形成于p型层上且未电连接至该n型电极。一导电层经由涂覆而覆盖该绝缘基板的侧壁与底表面且电连接于n型电极。 | ||
| 搜索关键词： | 发光 化合物 半导体 装置 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种发光化合物半导体装置，包括：一绝缘基板；一第一GaN型半导体层，形成于该绝缘基板的顶表面上，该第一GaN型半导体层的中央部分的表面高于该第一GaN型半导体层的周缘部分的表面；一有源层，形成于该第一GaN型半导体层的中央部分的表面上方，用以产生光；一第二GaN型半导体层，形成于该有源层上方；一第一电极，形成于该第二GaN型半导体层上；以及一导电层，经由涂覆而覆盖该绝缘基板侧壁与底表面且电连接于该第一GaN型半导体层的侧壁。
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