[发明专利]氮化铟镓发光二极管有效
| 申请号： | 00131996.5 | 申请日： | 2000-11-03 |
| 公开（公告）号： | CN1353465A | 公开（公告）日： | 2002-06-12 |
| 发明（设计）人： | 刘家呈;许进恭;周铭俊;章绢明;李秉杰 | 申请（专利权）人： | 晶元光电股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 陶凤波 |
| 地址： | 台湾省*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 一种发光二极管,包括依次形成的蓝宝石基层、氮化镓长晶层、n型氮化镓缓冲层、p型氮化镓接触层、p型氮化铝镓束缚层、纯量子井氮化铟镓发光层、n型氮化铝镓束缚层、n型氮化镓接触层、氧化铟锡透明导电层,然后将其中一部分蚀刻除去,露出部分n型氮化镓接触层,在露出部分上形成n型镍－金前电极,使前电极与透明导电层接触。将发光二极管适当蚀刻至p型氮化镓接触层,然后在p型氮化镓接触层上形成p型镍－金后电极。 | ||
| 搜索关键词： | 氮化 发光二极管 | ||
【主权项】：
1.一种发光二极管，包括：一绝缘基层；一p型接触层，形成在该绝缘基层上，其表面分为第一区域及第二区域；一p型束缚层，形成在该p型接触层的第一区域上；一发光层，形成在该p型束缚层上；一n型束缚层，形成在该发光层上；一n型接触层，形成在该n型束缚层上；一n型电极，形成在该n型接触层上；以及一p型电极，形成在该p型接触层的第二区域上。
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