[发明专利]镓酸锂晶体的制备方法无效
| 申请号： | 00136184.8 | 申请日： | 2000-12-27 |
| 公开（公告）号： | CN1101484C | 公开（公告）日： | 2003-02-12 |
| 发明（设计）人： | 马贤锋;洪瑞金;阎学伟;赵伟 | 申请（专利权）人： | 中国科学院长春应用化学研究所 |
| 主分类号： | C30B25/00 | 分类号： | C30B25/00;C30B29/22;C01G15/00 |
| 代理公司： | 长春科宇专利代理有限责任公司 | 代理人： | 曹桂珍 |
| 地址： | 130022 *** | 国省代码： | 吉林;22 |
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| 摘要： | 本发明属于镓酸锂晶体的制备方法。该方法是将能提供挥发性锂源的物质与能提供挥发性镓源的物质密封在温控炉中，气相反应。例如将碳酸锂，三氧化二镓，金属镓密封在温控炉中恒温加热，由于金属镓的加入使三氧化二镓挥发并与从碳酸锂中分解-挥发出的氧化锂反应，数小时后即可得到无色透明的镓酸锂晶体。本发明的方法具有反应时间短，产品质量好，纯度高，并对原料的纯度要求不高，工艺简单等特点。 | ||
| 搜索关键词： | 镓酸锂 晶体 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种镓酸锂晶体的制备方法，其特征在于称取Ga2O32-6克，金属Ga3-9克，Li2CO3、LiOH或Li2O1-4克放入温控炉中，密封或通入还原性气体，温度控制在600-1100℃之间，恒温2-48小时后冷却至室温即得到无色、透明的镓酸锂晶体。
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