[发明专利]具有晶体管栅极绝缘体的半导体器件无效
申请号: | 00800163.4 | 申请日: | 2000-02-14 |
公开(公告)号: | CN1306677A | 公开(公告)日: | 2001-08-01 |
发明(设计)人: | J·卢泽 | 申请(专利权)人: | 皇家菲利浦电子有限公司 |
主分类号: | H01L29/51 | 分类号: | H01L29/51 |
代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人: | 叶恺东 |
地址: | 荷兰艾*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 按照一个实施例,本发明旨在提供一种半导体器件,其中半导体器件有一个晶体管,晶体管的源区和漏区为沟区所分隔。半导体器件有一个栅极覆盖住沟区、覆盖住部分源区和覆盖住部分漏区形成。半导体器件还有一个绝缘区,构制和配置得使栅极与沟区绝缘且与源漏区绝缘。绝缘区的第一种材料覆盖住沟区配置,且提供高介电常数,绝缘区的第二种材料覆盖住部分源区、覆盖住部分漏区配置,且提供低得多的介电常数。通过采用不同介电常数的绝缘材料,此实施例不仅满足功能较高器件体积小巧化的要求,而且充分使栅极与沟区绝缘,而且提高晶体管的性能。 | ||
搜索关键词: | 具有 晶体管 栅极 绝缘体 半导体器件 | ||
【主权项】:
1.一种半导体器件,其特征在于,它包括:一个晶体管,其源漏区(140,150)为沟区(160)所分隔,栅极(110)覆盖住沟区、覆盖住部分源区且覆盖住部分漏区形成,绝缘区(130)构制和配置得使栅极与沟区绝缘,且与源漏区绝缘;且绝缘区的第一种材料(120)覆盖住沟区配置,提供高介电常数,绝缘区的第二种材料(130)覆盖住部分源区且覆盖住部分漏区配置,提供低得多的介电常数。
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