[发明专利]半导体集成电路和非易失性存储器元件无效
| 申请号： | 00803360.9 | 申请日： | 2000-01-19 |
| 公开（公告）号： | CN1339160A | 公开（公告）日： | 2002-03-06 |
| 发明（设计）人： | 宿利章二;小森和宏;奥山幸祐;久保田胜彦 | 申请（专利权）人： | 株式会社日立制作所 |
| 主分类号： | G11C16/06 | 分类号： | G11C16/06 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 王永刚 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种构成快速存储器的非易失性存储器元件(130),可如此构成,在相同半导体衬底上形成的另一电路晶体管的栅极氧化膜(GO2)和栅极(GT2)分别是隧道氧化膜(DO3)和浮动栅极(FGT)。一存储器单元具有两元件一比特构成,其由一对非易失性存储器元件并带有成对互补数据线而组成。对于成对非易失性存储器元件来说,可建立相互不同的阈值电压状态,使得它们可差动地读出。在读操作中的字线电压基本上等于非易失性存储器元件热均衡状态下的阈值电压(初始阈值电压),其中最好是存储器元件的高阈值电压和低阈值电压的平均值。不论成对的非易失性存储器元件是否处于高阈值电压状态或是低阈值电压状态,其阈值电压易于逐渐接近初始阈值电压,使其性能变差。在此时,字线选择电压基本上等于初始阈值电压,使得即使在某个存储器元件的性能相对逐渐变坏时也很难出现读出故障。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 集成电路 非易失性存储器 元件 | ||
【主权项】：
1、一种半导体集成电路，包括非易失性存储器，所述非易失性存储器包括非易失性存储器单元，所述非易失性存储器单元具有：一对电可编程非易失性存储器元件，每对元件均具有源、漏、浮动栅极和控制栅极，控制栅极对耦合到一字线上，漏极对分别耦合到互补数据线对上，并且其中根据非易失性存储器元件对的相互不同的逻辑状态而在互补数据线对上读出的信息项通过读出放大器进行放大，其中：提供给所述字线用以从所述非易失性存储器元件中读出信息的选择电压基本与所述非易失性存储器元件的初始阈值电压相等。
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