[发明专利]局部开槽工艺无效
| 申请号： | 00807779.7 | 申请日： | 2000-04-20 |
| 公开（公告）号： | CN1351759A | 公开（公告）日： | 2002-05-29 |
| 发明（设计）人： | B·S·李 | 申请（专利权）人： | 因芬尼昂技术北美公司 |
| 主分类号： | H01L21/308 | 分类号： | H01L21/308;H01L21/311 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 王勇,梁永 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 根据本发明,一种在半导体制造中开孔的方法包括下列步骤在衬底(102)上提供焊点叠层(104);在焊点叠层上制作硬掩模层(106),此硬掩模层相对于焊点叠层可选择性地清除;在硬掩模层上图形化抗蚀剂层(108),此抗蚀剂层相对于硬掩模层可被选择性地清除并具有足以防止凹陷的厚度;相对于抗蚀剂层选择性地腐蚀硬掩模层直至焊点叠层;以及清除抗蚀剂层。在清除抗蚀剂层之后,相对于硬掩模层选择性地腐蚀焊点叠层,致使孔被一直开到衬底。 | ||
| 搜索关键词： | 局部 开槽 工艺 | ||
【主权项】：
1.一种在半导体制造中开孔的方法，它包含下列步骤：在衬底上提供焊点叠层；在焊点叠层上制作硬掩模层，此硬掩模层相对于焊点叠层可选择性地清除；在硬掩模层上图形化抗蚀剂层，此抗蚀剂层相对于硬掩模层可被选择性地清除并具有防止凹陷的厚度；相对于抗蚀剂层选择性地腐蚀硬掩模层直至焊点叠层；清除抗蚀剂层；以及在清除抗蚀剂层之后，相对于硬掩模层选择性地腐蚀焊点叠层，致使孔被一直开到衬底。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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