[发明专利]制造沟槽电容器的掩埋带的方法无效
| 申请号： | 00810813.7 | 申请日： | 2000-07-07 |
| 公开（公告）号： | CN1364312A | 公开（公告）日： | 2002-08-14 |
| 发明（设计）人： | S·库德尔卡;A·米凯利斯 | 申请（专利权）人： | 因芬尼昂技术北美公司 |
| 主分类号： | H01L21/8242 | 分类号： | H01L21/8242 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 王岳,王忠忠 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 按照本发明,深蚀刻用于深沟槽电容器的掩埋带的填充材料的方法包括如下步骤在衬底(102)形成沟槽(110),用第一填充材料(113)填充沟槽,相对于沟槽中形成的介质套环(116)对第一填充材料开预定深度的凹槽,通过对介质套环深蚀刻来形成套环麻点(105),在第一填充材料和通过形成槽而暴露的衬底部分之上淀积衬套(132),并在套环上淀积第二填充材料(134)。通过用湿蚀刻剂蚀刻表面,提供氢末端的硅表面,从而制备第二填充材料的表面(131),湿蚀刻第二填充材料,对衬套和衬底有选择性的第二填充材料进行深蚀刻。蚀刻第二填充材料,形成掩埋带(140)。 | ||
| 搜索关键词： | 制造 沟槽 电容器 掩埋 方法 | ||
【主权项】：
1.一种用于深沟槽电容器中掩埋带的填充材料的深蚀刻方法，包括如下步骤：在衬底中形成沟槽；用第一填充材料填充沟槽；相对于沟槽中形成的介质套环，对第一填充材料开预定深度的凹槽；在介质套环中蚀刻麻点；在第一填充材料和形成沟槽暴露的衬底部分上淀积衬套；在衬套上和麻点中淀积第二填充材料；用湿蚀刻剂蚀刻表面，制备第二填充材料的表面，提供氢末端的硅表面；和湿蚀刻第二填充材料，从而深蚀刻到对衬套和衬底有选择性的第二填充材料，蚀刻第二填充材料，形成掩埋带。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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