[发明专利]为快速擦写存储器装置的多晶硅提供掺杂质浓度的方法

摘要

本发明提供一种方法以及一种NAND类型的快速擦写存储器装置。该方法包括,在一基座的选择晶体管区域,形成一选择门氧化层,以及,在该基座的存储器单元区域形成隧道氧化层;在该选择门氧化层上以及该隧道氧化层上,形成一掺有杂质的非晶硅层,该具有掺杂质的非晶硅层的掺杂质浓度将可同时避免选择晶体管字线的高电阻问题,也可以避免电荷获得/电荷失去的问题;在该具有掺杂质的非晶硅层上,形成一绝缘层;在该绝缘层上,形成一控制门层;以及,至少蚀刻具有掺杂质的非晶硅层、绝缘层、和控制门层,以形成至少一个存储器单元堆栈结构、和至少一个选择晶体管堆栈结构。在一优选的实施例中,该多晶硅层将形成快速擦写存储器单元的浮动栅、和将形成装置的选择晶体管的选择门,该多晶硅层的掺杂质磷的掺杂质浓度介于5×1018与8×1019离子/(厘米)3(ions/cm3)之间。以这种掺杂质浓度,选择晶体管的控制门的接触电阻变低,因此,可以使此装置的字线电阻率变低。同时,由于掺杂质进入快速擦写存储器单元的隧道氧化层,所造成的隧道氧化层污染将受到限制,使位于浮动栅与隧道氧化层之间的接触面平滑,因而能防止电荷获得/失去的问题。因此,该装置的可靠性将提高。

主权项

1.一种用于提供NAND类型快速擦写存储器装置的方法，该方法包括：(a)在一基座的一选择晶体管区域，形成一选择门氧化层，以及，在该基座的一存储器单元区域，形成一隧道氧化层；(b)在该选择门氧化层上以及该隧道氧化层上，形成具有掺杂质的非晶硅层，该具有掺杂质的非晶硅层的掺杂质浓度将同时避免选择晶体管字线的电阻问题、以及避免电荷获得/电荷失去的问题；(c)在该具有掺杂质的非晶硅层上，形成一绝缘层；(d)在该绝缘层上形成一控制门层；以及(e)至少将蚀刻具掺杂质的非晶硅层、绝缘层、以及控制门层，以形成至少一个的存储器单元的堆栈结构、以及至少一个的选择晶体管的堆栈结构。