[发明专利]利用分开的介电浮栅的新型易收缩非易失性的半导体存储单元及其制造方法有效
| 申请号： | 00812126.5 | 申请日： | 2000-08-25 |
| 公开（公告）号： | CN1375114A | 公开（公告）日： | 2002-10-16 |
| 发明（设计）人： | 龙翔澜;卢道政;王明宗 | 申请（专利权）人： | 马克罗尼克斯美国公司 |
| 主分类号： | H01L29/792 | 分类号： | H01L29/792;H01L21/336 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 谷惠敏,袁炳泽 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本申请公开了一种非易失性半导体存储器件(100),用于存储两位信息。此器件具有一个导电类型的半导体衬底(102)和形成在相反导电类型的半导体衬底中的右(104)和左(106)扩散区。具有薄栅气化物膜(110)的控制栅(114)形成在沟道区的中央沟道部分(112)上,此器件还包含形成在栅绝缘膜上的控制栅电极。介电复合体(132)基本上覆盖半导体衬底和控制栅电极。右电荷存储区形成在控制栅电极和右扩散区之间的介电复合体的部分中。同样,左电荷存储区形成在控制栅电极和左扩散区之间的介电复合体的部分中。字线(130)基本上覆盖介电复合体。此新型单元的制造方法也公开了。 | ||
| 搜索关键词： | 利用 分开 介电浮栅 新型 收缩 非易失性 半导体 存储 单元 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种非易失性半导体存储器件，包括：一种导电类型的半导体衬底；形成在所述半导体衬底中的右扩散区，所述右扩散区具有与所述半导体衬底的导电类型相反的导电类型；形成在所述半导体衬底中与所述右扩散区隔开的左扩散区，这样在所述右和左扩散区之间形成沟道区，所述左扩散区具有与所述右扩散区一样的导电类型；形成在所述沟道区的中央沟道部分上的栅绝缘膜；形成在所述栅绝缘膜上的控制栅电极；基本上覆盖衬底和控制栅电极的介电复合体；在所述控制栅电极和所述右扩散区之间的所述介电复合体的部分中的右电荷存储区；在所述控制栅电极和所述左扩散区之间的所述介电复合体的部分中的左电荷存储区；基本上覆盖介电复合体的字线。
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