[发明专利]制造具有减反射膜的半导体存储装置的方法

摘要

通过降低光阻去除期间的减反射膜损失来取得改进的半导体装置外围电路区域中栅极结构尺寸的精确度,该光阻去除对应于在形成图形及离子注入期间,在核心存储单元区域中形成多个掩模。实施例包括依序蚀刻核心存储单元区域中叠层式栅极结构、光阻的剥除以及蚀刻从而在外围电路区域中形成栅极结构。然后,在核心存储单元区域中实施多次掩模与离子注入,随后剥除光阻涂层。

主权项

1.一种半导体装置的制造方法，该半导体装置具有核心存储单元区域与外围电路区域，所述方法包括下列步骤：(a)在所述存储单元区域中形成第一栅极叠层，该第一栅极叠层依序包括：隧道电介质层；电荷储存电极层；电介质层；控制栅极层；减反射膜(ARC)；(b)在所述外围电路区域中形成第二栅极叠层，该第二栅极叠层依序包括：电介质层；栅极层；ARC；(c)在所述核心存储单元与外围电路区域上沉积第一层光阻材料；(d)在所述第一栅极叠层上形成第一光刻掩模；(e)在以第一层光阻材料掩盖第二栅极叠层的情况下，蚀刻所述第一栅极叠层，以产生至少一叠层栅极结构，其依序包括：隧道电介质层；电荷储存电极层；栅极间电介质层；控制栅极层；ARC；(f)从所述核心存储单元区域去除所述第一光刻掩模并从所述外围电路区域去除所述第一层光阻材料；(g)在所述核心存储单元区域与外围电路区域上形成第二层光阻材料；(h)在所述第二栅极叠层上形成第二光刻掩模；(i)蚀刻所述第二栅极叠层以形成第二栅极结构，依序包括：栅极电介质；栅极；ARC。