[发明专利]用于快擦写内存源极/漏极的固态源掺杂有效
| 申请号： | 00815128.8 | 申请日： | 2000-10-24 |
| 公开（公告）号： | CN1384974A | 公开（公告）日： | 2002-12-11 |
| 发明（设计）人： | T·苏格特;C·R·霍斯特 | 申请（专利权）人： | 先进微装置公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L21/225 |
| 代理公司： | 北京纪凯知识产权代理有限公司 | 代理人： | 戈泊,程伟 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种制造快擦写内存装置的方法,其中经由下列步骤可产生最小的栅极边缘掀起现象(gateedgelifting)将栅极叠层(gatestack)和基片暴露出的表面予以最低的氧化;从该基片各向异性地蚀刻氧化物层;在基片上要形成源极区的部份上形成经掺杂的固态源极材料及使该掺杂物(dopants)从该固态源极材料扩散到所述基片之内。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 擦写 内存 固态 掺杂 | ||
【主权项】：
1.一种制造具有最小栅极边缘掀起现象的快擦写内存装置的方法，其中所述方法包括：(a)在基片上形成栅极叠层，其中该栅极叠层包括在所述基片上形成的隧道氧化物、在该隧道氧化物上形成的浮栅、在该浮栅上形成的介电层以及在该介电层上形成的控制栅；(b)在所述栅极叠层和所述基片暴露出的部份上形成氧化物层；(c)从所述栅极叠层的水平表面和所述基片暴露出的部份各向异性地蚀刻掉所述氧化物层；(d)在所述基片上要形成源极区的部份上形成固态源极材料层；(e)用所选的掺杂物离子掺杂所述固态源极材料层；及(f)使所选的所述掺杂物离子扩散到所述基片内，形成源极区。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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