[发明专利]纯的熔凝二氧化硅,窑炉和方法无效
| 申请号： | 00815425.2 | 申请日： | 2000-09-08 |
| 公开（公告）号： | CN1387499A | 公开（公告）日： | 2002-12-25 |
| 发明（设计）人： | L·H·科塔斯卡;R·S·小帕夫利克 | 申请（专利权）人： | 康宁股份有限公司 |
| 主分类号： | C03B37/018 | 分类号： | C03B37/018;C03B37/01 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所 | 代理人： | 周承泽 |
| 地址： | 美国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 提供较纯的二氧化硅制品,制造这种制品的窑炉(50)和方法。通过在耐火材料窑炉(50)中收集熔融二氧化硅颗粒来制造这种制品,在窑炉中,至少有一部分耐火材料(32)曾受过含卤素气体的处理,该含卤素气体与耐火材料(32)中的污染金属离子进行了反应。 | ||
| 搜索关键词： | 二氧化硅 方法 | ||
【主权项】：
1.一种改进的制造熔凝二氧化硅体的方法，该方法包括：在氧化铝耐火材料建造的窑炉内将含硅化合物通入火焰形成熔融二氧化硅颗粒，并收集所述熔凝二氧化硅体颗粒，所述的改进包括收集二氧化硅颗粒的窑炉的至少一部分曾经预先与含反应性卤素气体接触进行反应，从而提纯除去耐火材料中的污染金属。
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