[发明专利]半导体装置及其制造方法有效
| 申请号： | 01103459.9 | 申请日： | 2001-02-13 |
| 公开（公告）号： | CN1329367A | 公开（公告）日： | 2002-01-02 |
| 发明（设计）人： | 松本拓治;岩松俊明;平野有一 | 申请（专利权）人： | 三菱电机株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L27/12;H01L21/84 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 杨凯,叶恺东 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明的目的在于得到一种在具备PTI结构的隔离绝缘膜的半导体装置中抑制衬底浮游效应、隔离特性和耐压提高了的半导体装置及其制造方法。其解决方法是在覆盖形成于半导体层的表面上的元件的上表面的层间绝缘膜之间形成氮化硅膜。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体装置，其特征在于：具备由至少表面为绝缘性的衬底和被配置在上述衬底的表面上的半导体层构成的SOI衬底，上述半导体层具有被配置在其主表面上的第1导电型的第1有源区和第1导电型的第2有源区，还具备：隔离绝缘膜，被配置在上述第1、第2有源区间，在与上述衬底的上述表面之间留下作为上述半导体层的一部分的第1半导体区且被形成在上述半导体层的主表面上；第1层间绝缘膜，被形成在上述第1和第2有源区以及上述隔离绝缘膜的表面上；氮化硅膜，被形成在上述第1层间绝缘膜上；以及第2层间绝缘膜，被形成在上述氮化硅膜的表面上。
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