[发明专利]半导体存储装置的数据读出及数据写入方法和驱动方法

摘要

在将强电介质电容器与场效应晶体管(FET)的栅极连接的半导体存储装置中,设FET的阈值电压(Vti)时的栅极电荷为Qti。在从强电介质电容器的极化值为0(C/cm2)的状态开始增加电压时的极化－电压特性中,设可以得到与Qti相当的极化值的电压值为Vtf。读出动作中FET的栅极电荷－栅极电压特性与强电介质电容器的极化－电压特性的交点就是记忆后的最坏情况0(C/cm2)的状态下的工作点。

主权项

1．一种半导体存储装置的数据读出方法，是由一对电极与强电介质组成的电容器和场效应晶体管构成的、所述电容器的一边的电极与所述场效应晶体管的栅极连接或所述电容器的一边的电极兼作所述场效应晶体管的栅极，而将所述电容器的另一边的电极作为控制电极并将电压加到所述控制电极上从而通过改变所述强电介质的极化来改变所述场效应晶体管的沟道电阻并利用所述沟道电阻的高低来表示2值数据的半导体存储装置的数据读出方法，其特征在于：在所述场效应晶体管的阈值电压为正时，就将正电压加到所述控制电极上，在所述场效应晶体管的阈值电压为负时，就将负电压加到所述控制电极上。