[发明专利]非挥发性内存控制电路及其控制方法有效
申请号: | 01109547.4 | 申请日: | 2001-03-30 |
公开(公告)号: | CN1378289A | 公开(公告)日: | 2002-11-06 |
发明(设计)人: | 陈伟梵;俞大立 | 申请(专利权)人: | 华邦电子股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/115 | 分类号: | H01L27/115;H01L21/8247;G11C16/02 |
代理公司: | 北京纪凯知识产权代理有限公司 | 代理人: | 程伟 |
地址: | 中国*** | 国省代码: | 台湾;71 |
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摘要: | 一种非挥发性内存控制电路。此电路适用于具有源极、漏极、控制栅、以及基体极的非挥发性存储单元,包括电压源、第一电荷泵电路、字符线开关、第二电荷泵电路、源极开关、第三电荷泵电路、以及基体极开关。第一、第二、第三电荷泵电路是连接该电压源,分别产生第一正电压、第二正电压、以及第一负电压。字符线开关是选择电压源或第一正电压中及于控制闸,源极开关是选择接地电位或第二正电压及于源极,基体极开关则选择接地电位或第一负电压及于基体极。当于抹除操作下,提供第一正电压正电压至控制栅,而提供第一负电压至基体极。 | ||
搜索关键词: | 挥发性 内存 控制电路 及其 控制 方法 | ||
【主权项】:
1.一种非挥发性内存控制电路,适用于具有一源极、一漏极、一控制栅、以及一基体极的一非挥发性存储单元;该非挥发性内存控制电路包括:一电压源;一第一电荷泵电路,连接该电压源升压产生一第一正电压;一字符线开关,选择该电压源和该第一正电压中的一者及于该控制栅;一第二电荷泵电路,连接该电压源升压产生一第二正电压;一源极开关,选择一接地电位和该第二正电压中的一者及于该源极;一第三电荷泵电路,连接该电压源产生一第一负电压;以及一基体极开关,选择该接地电位和该第一负电压中的一者及于该基体极。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
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H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
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