[发明专利]单一程序化掩膜只读存储器的只读区和焊垫区的方法

摘要

本发明涉及单一程序化掩膜只读存储器的只读区和焊垫区的方法,该方法包括将第一型半导体基底分为只读区和焊垫区,具第一栅极和第二栅极;只读区内的第一栅极形成第二型源极/漏极区,只读区和焊垫区表面形成第一绝缘层和第二绝缘层,露出第一栅极及第二型源极/漏极表面的开口;形成对准第二栅极的金属图案,光阻层具有第一开口和第二开口;蚀刻保护层和绝缘层,第一型杂质经过第一开口而穿透第一栅极,在第一栅极的基底内形成一信道区,以及实行热退火处理。

主权项

1.一种单一程序化掩膜只读存储器的只读区和焊垫区的方法，其特征是：其步骤包括：提供一第一型半导体基底，且该第一型半导体基底并区分为一只读区和一焊垫区；在该只读区内和该焊垫区分别形成多个第一栅极和多个第二栅极；在每一个位于该只读区内的第一栅极两侧基底内形成一第二型源极/漏极区；依序形成一第一绝缘层和一第二绝缘层于该只读区和该焊垫区表面；利用蚀刻平板印刷技术和蚀刻技术定义该第一绝缘层和第二绝缘层，形成一露出上述第一栅极以及上述第二型源极/漏极表面的接触开口；形成多个对准该第二栅极的金属图案于该第二绝缘层上；形成一保护层于该第二绝缘层上，并且覆盖该些金属图案；形成一光阻层于该保护层上，且该光阻层并且具有一对准于该第一和第二栅极的第一开口和第二开口；以该光阻层作为蚀刻掩膜，回蚀刻该第一开口下的该保护层和部分该第二绝缘层以及该第二开口下的该保护层；实施一信道注入步骤，使得第一型杂质可经过该第一开口而穿透上述第一栅极，并且在上述第一栅极底下的基底内形成一信道区；以及实施一热退火处理。