[发明专利]分离栅极式闪存的制造方法无效
| 申请号： | 01110212.8 | 申请日： | 2001-04-02 |
| 公开（公告）号： | CN1378268A | 公开（公告）日： | 2002-11-06 |
| 发明（设计）人： | 黄智睦;蔡荣昱;任兴华;林淑惠 | 申请（专利权）人： | 华邦电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/82 | 分类号： | H01L21/82;H01L21/8246 |
| 代理公司： | 北京集佳专利商标事务所 | 代理人： | 王学强 |
| 地址： | 台湾新竹科*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 一种分离栅极式闪存的制造方法,在基底上依序形成穿隧氧化物层、第一导电层与硬罩幕层,在硬罩幕上形成漏极开口与浮置栅开口,暴露第一导电层;在第一导电层上形成二复－氧化物层,去除一层及第一导电层,露出基底;在基底上形成漏极区,去除硬罩幕,以第二复－氧化物为罩幕蚀刻第一导电层形成浮置栅,再形成分离栅极氧化物层,第二复－氧化物层上形成导电层,在该导电层上形成控制栅,在浮置栅侧的基底形成源极区。 | ||
| 搜索关键词： | 分离 栅极 闪存 制造 方法 | ||
【主权项】：
1、一种分离栅极式闪存的制造方法，适用在一基底上，其特征在于：其至少包括：在基底上依序形成穿隧氧化物层、第一导电层与硬罩幕层；定义硬罩幕层，在硬罩幕层中形成漏极开口与浮置栅开口，暴露出该第一导电层；在漏极开口与浮置栅开口暴露出第一导电层上形成第一复-氧化物层与第二复-氧化物层；去除第一复-氧化物层以及被第一复-氧化物层覆盖的第一导电层，暴露出漏极开口中的基底；在漏极开口暴露出的基底形成漏极区；去除硬罩幕层；以第二复-氧化物层为罩幕，蚀刻第一导电层，形成浮置栅；在浮置栅与基底上形成分离栅极氧化物层；在第二复-氧化物层上形成第二导电层，定义第二导电层而形成一控制栅；以及在浮置栅侧边的基底形成源极区。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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