[发明专利]增加偶合比的非挥发性存储装置及其制造方法

摘要

一种通过增加电容面积以增加控制栅对浮栅的偶合比的存储装置以及制造的方法,是由增加控制栅与浮栅的重叠区来达到的。一种增加偶合比的非挥发性存储装置包括一具有复数隔离区的一基底,一第一导电层形成在基底与隔离区上,第一导电层的一对侧壁以垂直的方式形成在每一个隔离区上,此垂直的侧壁是通过一已蚀刻出具有垂直边的介电层罩幕而形成。一第二导电层形成在第一导电层上,第二导电层以界面隔离第一导电层以增加表面积,进而增加偶合比,一内导电介电层形成在第一与第二导电层中间,内导电介电层最好包括第一层与第二层的二氧化硅层,以及位于中间的一层氮化硅层。

主权项

1.一种增加偶合比的非挥发性存储装置，其特征在于：包括：一基底；一复数隔离区，形成在该基底中；一第一导电层，形成在该基底与该复数隔离区上，该第一导电层的一对侧壁以垂直的方式形成在该复数隔离区的每一个上；一第二导电层，形成在该第一导电层上，该第二导电层以界面隔离该第一导电层以增加一表面积，进而增加偶合比。