[发明专利]阶段式蚀刻方法无效
| 申请号： | 01111880.6 | 申请日： | 2001-03-23 |
| 公开（公告）号： | CN1376581A | 公开（公告）日： | 2002-10-30 |
| 发明（设计）人： | 徐聪平;李英尧;胡宏盛;周忠诚;陈苇霖 | 申请（专利权）人： | 明碁电通股份有限公司 |
| 主分类号： | B41J2/16 | 分类号： | B41J2/16;H01L21/302 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 陶凤波 |
| 地址： | 台湾省*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明提供一种阶段式蚀刻方法,其提供一基底,并在该基底相对的顶、底表面分别形成一图案化的第一保护层以及一第二保护层,随后对该基底进行一第一蚀刻工艺,以同时蚀刻部分该基底并完全去除该第一保护层,最后再进行一第二蚀刻工艺以继续蚀刻该基底,直至一预定厚度,以控制该基底被蚀刻后的厚度及芯片尺寸大小。 | ||
| 搜索关键词： | 阶段 蚀刻 方法 | ||
【主权项】：
1.一种阶段式蚀刻方法，该阶段式蚀刻方法是应用于一基底的蚀刻工艺，以控制该基底被蚀刻后的厚度及芯片尺寸大小，该阶段式蚀刻方法包括下列步骤：在该基底相对的一顶、底表面分别形成一图案化的第一保护层以及一第二保护层；对该基底进行至少一蚀刻工艺，以同时蚀刻该基底以及该图案化的第一保护层；以及在该第一保护层被完全去除后，继续蚀刻该基底直至一预定厚度，以控制该基底被蚀刻后的厚度及芯片尺寸大小。
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