[发明专利]制造复合式无源元件的方法无效

专利信息
申请号: 01112006.1 申请日: 2001-03-26
公开(公告)号: CN1377050A 公开(公告)日: 2002-10-30
发明(设计)人: 陈俊杰;陈隆欣 申请(专利权)人: 光颉科技股份有限公司
主分类号: H01G4/40 分类号: H01G4/40;H01L21/82;H01L27/01;H03H7/00
代理公司: 北京市柳沈律师事务所 代理人: 陶凤波
地址: 台湾省*** 国省代码: 台湾;71
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摘要: 发明提出一种在陶瓷或玻璃基板上制造薄膜复合式无源元件且以厚膜封装技术加以包装的方法。包含如下步骤第一,形成以陶瓷或玻璃作为材料的基板,并采用上釉或研磨抛光等方式对其进行平坦化处理;第二,在其上以半导体制造过程的方法形成所需要的复合式无源元件,此复合式无源元件包括RC阵列元件、LC阵列元件及R阵列元件等等;第三,利用厚膜封装的方法,对所形成的此复合式无源元件进行封装,得到成品化的复合式无源元件。
搜索关键词: 制造 复合 无源 元件 方法
【主权项】:
1.一种制造复合式RC元件的方法,包含如下步骤:第一步骤,形成绝缘材料的基板,且对该基板进行平坦化处理;第二步骤,在该陶瓷或玻璃基板上形成该复合式RC元件,该第二步骤包含如下子步骤:形成一电阻层及一第一金属导电层的子步骤,系以溅镀或蒸镀的技术在该基板上依序形成一电阻层及一第一金属导电层,且借由光刻及蚀刻技术,在该电阻层中形成作为电阻的图案,且在该第一金属导电层中形成作为电阻的两个电极的图案;形成一介电层的子步骤,系以溅镀或CVD的技术在该第一金属导电层之上形成一介电层,且借由光刻及蚀刻技术,形成该电介质的图案;形成一第二金属导电层的子步骤,系以溅镀或蒸镀的技术在该介电层之上形成第二金属导电层,且借由光刻及蚀刻技术,形成该第二金属导电层的图案;第三步骤,采用厚膜封装的方式进行封装,该第三步骤具有如下子步骤:印制保护层的子步骤,系利用网版印刷技术在晶粒表面之上印制保护层且进行干燥;印制文字的子步骤,系利用网版印刷技术在保护层之上印制文字层且进行干燥;裂片的子步骤,系进行裂片处理以得到各个晶粒,此晶粒即为该复合式RC元件;端银的子步骤,系制作端电极且进行干燥;电镀的子步骤,系进行电镀处理;电特性检测的子步骤,系对所形成的该复合式RC元件进行电特性的全面检测;包装的子步骤,系对所形成的该复合式RC元件进行包装。
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