[发明专利]存储器无效
申请号: | 01112235.8 | 申请日: | 2001-03-30 |
公开(公告)号: | CN1333564A | 公开(公告)日: | 2002-01-30 |
发明(设计)人: | 国清辰也 | 申请(专利权)人: | 三菱电机株式会社 |
主分类号: | H01L27/11 | 分类号: | H01L27/11;H01L21/8244;G11C11/4197 |
代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人: | 杨凯,叶恺东 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 本发明的课题是提供既可迅速地进行使记忆内容反转的写入、又可减少不需要的功耗的存储器。晶体管MN9、MN10串联连接在节点N1与写入位线41之间。晶体管MN9、MN10的栅分别与写入控制线44和写入字线31连接。写入控制线44供给与写入位线41、互补写入位线42的“异或”运算值相当的电位。通过预先将写入工作中不使用的写入位线41、互补写入位线42预充电为相同的电位,晶体管MN9关断。 | ||
搜索关键词: | 存储器 | ||
【主权项】:
1.一种存储器,其特征在于:具备:多个(a)字线组;多个(b)位线组;以及多个与一个上述字线组和一个上述位线组对应地被设置的(c)存储单元,上述(a)字线组分别具有(a-1)写入字线,上述(b)位线组分别具有:(b-1)写入位线;以及(b-2)与上述写入位线对应地被设置的写入控制线,上述(c)存储单元分别具有:(c-1)包含第1存储节点的记忆单元;以及(c-2)只在对应的上述一个位线组的上述写入位线、连接在与上述第1存储节点之间的对应的上述一个上述字线组的上述写入字线和上述写入控制线都激活了的情况下导通的第1开关,被选择了的上述位线组中的上述写入控制线激活,不被选择的上述位线组中的上述写入控制线不激活。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
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H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的