[发明专利]一种掺锑二氧化锡浅色导电粉的制备方法无效
| 申请号： | 01113010.5 | 申请日： | 2001-05-29 |
| 公开（公告）号： | CN1317803A | 公开（公告）日： | 2001-10-17 |
| 发明（设计）人： | 顾达;曹富基;张建荣;刘正光;杨云霞;陈树华 | 申请（专利权）人： | 华东理工大学;江苏南天集团股份有限公司 |
| 主分类号： | H01B1/08 | 分类号： | H01B1/08;H01B1/00;H01B13/00 |
| 代理公司： | 华东理工大学专利事务所 | 代理人： | 罗大忱 |
| 地址： | 20023*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种掺锑二氧化锡浅色导电粉的制备方法，在三氯化锑的水溶液中，加入配位剂与锑形成配合物，然后加入四氯化锡溶液，再加入碱液，再加入有机小分子沉淀剂，在氢氧化物前驱体的表面均匀包覆一层非氢氧化物沉淀，获得一种导电粉体前驱体，并进行煅烧，得到纳米级的类球形导电粉体。该导电粉体的原生粒径为12－18纳米，平均电阻率小于2.5Ωcm，可广泛应用于显象管的导电涂层、导电纤维和导电塑料。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 掺锑二 氧化 浅色 导电 制备 方法 | ||
【主权项】：
1．一种掺锑二氧化锡浅色导电粉的制备方法，其特征在于，该方法依次按包括以下步骤：(1)在三氯化锑的溶液中加入配合剂生成锑的配合物并与四氯化锡溶液相混合，制成锡锑混合液；所说的配合剂为C2～C6的有机酸及其混合物；掺杂锑的摩尔百分比为0.5～8.0％；(2)将上述混合液与碱同时加入到水溶液中，控制pH值为1.5～3.5，获得掺杂锑的氢氧化物前驱体；(3)加入有机小分子沉淀剂，获得一种导电粉体前驱体；所说的有机小分子沉淀剂为草酸、乙酸或丙二酸中的一种；(4)将该导电粉体前驱体进行煅烧，即得到本发明的类球形导电粉体。
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