[发明专利]一种MFI型沸石晶体的择优定向生长方法无效

专利信息
申请号: 01113207.8 申请日: 2001-06-28
公开(公告)号: CN1332114A 公开(公告)日: 2002-01-23
发明(设计)人: 王喜庆;宋茂莹;龙英才 申请(专利权)人: 复旦大学
主分类号: C01B39/04 分类号: C01B39/04
代理公司: 复旦大学专利事务所 代理人: 姚静芳
地址: 20043*** 国省代码: 上海;31
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摘要: 发明是一种MFI沸石晶体择优定向生长的方法。MFI型沸石晶体呈现出择优取向大部分是在沸石膜的生长中才实现的,尚未见到有MFI型沸石晶体自行择优取向的文献报道。本发明用“双模板剂”法在Na2O-Na2O-模板剂R1(乌洛托品及其衍射物)-模板剂R2(正烷烃胺或羟化四丙基铵)-H2O体系中合成得到了b-轴择优取向的ZSM-5晶体。反应条件是按一定摩尔配比的上述反应物凝胶老化后,在150-200℃下水热晶化5-20天,结晶产物洗涤过滤烘干即可。经XRD和SEM表征,晶体的择优定向生长效果良好。
搜索关键词: 一种 mfi 型沸石 晶体 择优 定向 生长 方法
【主权项】:
1.一种MFI型沸石晶体的择优定向生长方法,用双模板剂水热合成,其特征是反应物无定形二氧化硅在微碱性条件下,与模板剂R1乌洛托品或其衍生物、模板剂R2正构烷基胺或羟化四丙基铵和水混合而成凝胶;凝胶老化后,在150-200℃下水热晶化5-20天,结晶产物经洗涤、过滤烘干即可,上述反应条件下反应物的摩尔配比是:SiO2/Al2O350-∞OH-/SiO20-0.3(R1+R2)/SiO20.2-2.0R1/R20.1-2F-/SiO20-1H2O/SiO230-100
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