[发明专利]一种MFI型沸石晶体的择优定向生长方法无效
申请号: | 01113207.8 | 申请日: | 2001-06-28 |
公开(公告)号: | CN1332114A | 公开(公告)日: | 2002-01-23 |
发明(设计)人: | 王喜庆;宋茂莹;龙英才 | 申请(专利权)人: | 复旦大学 |
主分类号: | C01B39/04 | 分类号: | C01B39/04 |
代理公司: | 复旦大学专利事务所 | 代理人: | 姚静芳 |
地址: | 20043*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | 本发明是一种MFI沸石晶体择优定向生长的方法。MFI型沸石晶体呈现出择优取向大部分是在沸石膜的生长中才实现的,尚未见到有MFI型沸石晶体自行择优取向的文献报道。本发明用“双模板剂”法在Na2O-Na2O-模板剂R1(乌洛托品及其衍射物)-模板剂R2(正烷烃胺或羟化四丙基铵)-H2O体系中合成得到了b-轴择优取向的ZSM-5晶体。反应条件是按一定摩尔配比的上述反应物凝胶老化后,在150-200℃下水热晶化5-20天,结晶产物洗涤过滤烘干即可。经XRD和SEM表征,晶体的择优定向生长效果良好。 | ||
搜索关键词: | 一种 mfi 型沸石 晶体 择优 定向 生长 方法 | ||
【主权项】:
1.一种MFI型沸石晶体的择优定向生长方法,用双模板剂水热合成,其特征是反应物无定形二氧化硅在微碱性条件下,与模板剂R1乌洛托品或其衍生物、模板剂R2正构烷基胺或羟化四丙基铵和水混合而成凝胶;凝胶老化后,在150-200℃下水热晶化5-20天,结晶产物经洗涤、过滤烘干即可,上述反应条件下反应物的摩尔配比是:SiO2/Al2O350-∞OH-/SiO20-0.3(R1+R2)/SiO20.2-2.0R1/R20.1-2F-/SiO20-1H2O/SiO230-100
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