[发明专利]经由通道写入及抹除的嵌入式快闪记忆胞及其制作方法

摘要

一种经由通道写入及抹除的嵌入式快闪记忆胞及其制作方法,尤指一种结合CMOS装置与快闪记忆胞,主要是在基底上同时制作快闪记忆胞与CMOS装置,以降低制作成本,简化制作流程,且CMOS装置并保留有可进行高电压操作及其低电压操作,不仅有效改善快闪记忆胞与CMOS装置间的操作效率,且其整体体积比各自分开生产后结合较小。

主权项

1、一种经由通道写入及抹除的嵌入式快闪记忆胞，其特征在于：它包括在N型基底上设置快闪记忆胞区及CMOS装置区；该快闪记忆胞区的主要结构包含有：于基底上形成深P型井，于该深P型井上形成N型井，在该N型井内适当位置处布植有一深P型布植区及一浅P型布植区，于该N型井上堆叠闸极；该CMOS装置区的主要结构包含有：于该基底上形成第一深P型井区，于该第一深P型井区上形成一第一N型井，且在该第一N型井内适当位置处布植有多数个P型布植区；于该基底上形成第二深P型井区，于该第一深P型井区上形成第二N型井，且在该第一N型井内适当位置处布植有多数个P型布植区。