[发明专利]电子元件能量冲击测试系统及方法无效
| 申请号： | 01116199.X | 申请日： | 2001-05-30 |
| 公开（公告）号： | CN1388381A | 公开（公告）日： | 2003-01-01 |
| 发明（设计）人： | 陈志溢;许家祯;黄镫汉 | 申请（专利权）人： | 大冈科技股份有限公司 |
| 主分类号： | G01R31/00 | 分类号： | G01R31/00 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司 | 代理人： | 穆魁良 |
| 地址： | 台湾省*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种电子元件能量冲击测试系统及方法,该系统包含一非破坏性电子元件测试模式、一破坏性电子元件测试模式及一程序控制结构;利用共用程序控制结构将非破坏性测试模式及破坏性测试模式整合于一测试系统,该非破坏性测试模式对所有产品进行结构品质检测以提升产品可信赖度,而该破坏性测试模式则在待测元件进行能量冲击测试时缩短测试时间;本发明适用于电子元件的耐冲击能力测试、或连续模拟瞬间冲击测试、及结构品质检测分析。 | ||
| 搜索关键词： | 电子元件 能量 冲击 测试 系统 方法 | ||
【主权项】：
1、一种电子元件能量冲击测试系统，其特征是：该测试系统包含：一对待测元件进行模拟连续瞬间能量冲击测试直至其结构崩溃为止、以便测试该待测元件结构品质的破坏性电子元件测试模式；一对待测元件进行模拟一次瞬间能量冲击测试、以便测试该待测元件能量耐冲能力的非破坏性电子元件测试模式；一用以控制该破坏性电子元件测试模式及非破坏性电子元件测试模式的程序控制结构。
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