[发明专利]半导体装置有效
| 申请号： | 01117498.6 | 申请日： | 2001-05-10 |
| 公开（公告）号： | CN1333567A | 公开（公告）日： | 2002-01-30 |
| 发明（设计）人： | 牧野博之 | 申请（专利权）人： | 三菱电机株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L27/04;H01L21/82 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 杨凯,叶恺东 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 在该半导体装置中,有助于晶体管的工作的第1栅电极1～4和无助于晶体管的工作的第2栅电极19、20的栅长都相同,此外,沿栅长方向以相同的间距来配置。此外,分别将第1栅电极1～4和第2栅电极19、20的栅宽方向的两端部设置在最长的有源区宽度以上。利用该结构,在设计半导体装置内的半导体集成电路时,可提供具有不引起晶体管的性能下降的图形结构的半导体装置。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 | ||
【主权项】：
1.一种半导体装置，其特征在于：具备：晶体管形成区(101)，具有在半导体衬底上形成的多个源/漏区(8～14)和沿第1方向排列的、各自的栅宽方向与垂直于上述第1方向的第2方向一致的栅电极；以及多个场效应晶体管，分别由上述多个栅电极(1～4)中的一个和上述多个源/漏区(8～14)中的二个构成，上述多个场效应晶体管包含2种以上的沿上述多个源/漏区(8～14)的第2方向的长度、即有源区宽度(5～7)不同的晶体管，将上述多个栅电极(1～4)的各自的栅宽设置成最长的有源区宽度(5～7)以上。
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