[发明专利]时间相依介电崩溃测试电路及测试方法有效
| 申请号： | 01119768.4 | 申请日： | 2001-05-21 |
| 公开（公告）号： | CN1387245A | 公开（公告）日： | 2002-12-25 |
| 发明（设计）人： | 刘建瑜;赖明仪 | 申请（专利权）人： | 华邦电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/66 | 分类号： | H01L21/66 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所 | 代理人： | 任永武 |
| 地址： | 台湾省新竹市新*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 一种时间相依介电崩溃测试电路用于测试芯片制造过程中的一介电层,包括形成数个电容于介电层上并提供限流装置、降压装置等单元,与电容串联,通过检测流经电容的电流变化来判断电容的崩溃与否,更进一步来判定芯片的优劣。测试过程提供一固定电压源于测试电路,并通过限流装置、降压装置的作用,使跨于电容的电压不完全相同,因而可通过流经电容的不同电流量来检测电容的崩溃并可得知介电层所形成的电容在不同电压下的耐受性。 | ||
| 搜索关键词： | 时间 相依 崩溃 测试 电路 方法 | ||
【主权项】：
1.一种改进的时间相依介电崩溃测试电路，用于测试一介电层，所述介电层至少构成一第一电容与一第二电容，其特征在于，所述电路包括：一第一限流装置，是与所述第一电容串联；一第二限流装置，是与所述第二电容串联，并与所述第一限流装置并联；以及一降压装置，是与所述第二电容、所述第二限流装置串联；通过流经所述测试电路的一判断电流，判断所述第一电容与所述第二电容的一崩溃。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
