[发明专利]在绝缘体上硅中形成抗熔丝的结构和方法有效
| 申请号： | 01119790.0 | 申请日： | 2001-05-30 |
| 公开（公告）号： | CN1327267A | 公开（公告）日： | 2001-12-19 |
| 发明（设计）人： | C·L·伯蒂;R·迪瓦卡鲁尼;R·J·豪赫顿;J·A·曼德曼;W·R·通蒂 | 申请（专利权）人： | 国际商业机器公司 |
| 主分类号： | H01L23/62 | 分类号： | H01L23/62;H01L27/12;H01L21/84 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 王勇,陈景峻 |
| 地址： | 美国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种能在低电压和低电流下编程的抗熔丝结构,它可能占据很少的芯片空间,并被制作在诸如绝缘体上硅之类的组合物衬底上。抗熔丝的编程或采取选择形成导体位置的方法和/或采取损伤电容器状结构的电介质的方法。一种绝缘颈圈被用来限制损伤只发生在所希望的位置。编程电流引起的热效应电压和噪声,被有效地与本底硅层隔离开来,这就允许在该器件正常工作的状态下进行编程。因此,在不中断工作的情况下得以实现自修复的潜能。 | ||
| 搜索关键词： | 绝缘体 上硅中 形成 抗熔丝 结构 方法 | ||
【主权项】：
1.一种形成在层状衬底上的抗熔丝结构，包括第一半导体层和选择掺杂的第二半导体层，所述第一半导体层藉一绝缘体与所述第二半导体层相隔离，所述抗熔丝结构包括，从所述第一半导体层延伸到所述第二半导体层中，并具有可编程装置插在所述第一导体和所述第二半导体层之间的第一导体，以及从所述第一半导体层的表面延伸到所述第二半导体层的表面的第二导体，以及至少环绕所述第一导体和所述第二导体之一的绝缘颈圈。
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