[发明专利]制备无孔洞的金属间介电层的方法无效
| 申请号： | 01120661.6 | 申请日： | 2001-07-23 |
| 公开（公告）号： | CN1399314A | 公开（公告）日： | 2003-02-26 |
| 发明（设计）人： | 李世达;林平伟;高明宽 | 申请（专利权）人： | 矽统科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/316 | 分类号： | H01L21/316;H01L21/768;H01L21/285 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司 | 代理人： | 刘朝华 |
| 地址： | 台湾省新竹*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 一种制备无孔洞的金属间介电层的方法。以高密度电浆化学气相沉积法沉积一氧化层覆盖住半导体基底上的金属导线，且其中氧化层在金属导线的上方形成隆起状；接着对氧化层施以一电浆处理程序，以去除氧化层中的隆起部分。经过电浆处理后的氧化层具有较平顺的表面，因此便可在其上沉积一层阶梯覆盖良好且无孔洞的牺牲介电层。具有可以防止杂质陷在孔洞中影响元件的可靠度，制造成本较低及提升产能的功效。 | ||
| 搜索关键词： | 制备 孔洞 金属 间介电层 方法 | ||
【主权项】：
1、一种制备无孔洞的金属间介电层的方法，包括形成有多数个金属导线的半导体基底，其特征是：它包括如下步骤：(1)以高密度电浆化学气相沉积法沉积一氧化层覆盖住该金属导线，且该氧化层在该金属导线的上方形成隆起状；(2)对该氧化层施以一电浆处理程序，以去除该氧化层的隆起部分；(3)沉积一介电层于该氧化层之上。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
