[发明专利]制造用于有机发光装置的发射层的方法无效
| 申请号： | 01120897.X | 申请日： | 2001-06-07 |
| 公开（公告）号： | CN1338887A | 公开（公告）日： | 2002-03-06 |
| 发明（设计）人： | M·E·隆;邓青云 | 申请（专利权）人： | 伊斯曼柯达公司 |
| 主分类号： | H05B33/10 | 分类号： | H05B33/10 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 卢新华,罗才希 |
| 地址： | 美国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种制造场致发光装置的方法,该装置具有基片,和至少一个层含基质材料的掺杂剂接受层,在掺杂时,基质材料形成发射层,该方法包括制造至少一层掺杂剂层,该层具有配置在掺杂剂接受层上面或下面的掺杂剂;制造阳极和阴极,将掺杂剂接受层和掺杂剂层配置在该阳极和阴极之间;加热场致发光装置,使掺杂剂从掺杂剂层扩散到掺杂剂接受层中,形成掺杂剂在基质材料中均匀分布的发射层。 | ||
| 搜索关键词： | 制造 用于 有机 发光 装置 发射 方法 | ||
【主权项】：
1.一种制造场致发光装置的方法，该装置具有基片和至少一层包含基质材料的掺杂剂接受层，在掺杂时，基质材料形成发射层，该方法包括以下步骤：(a)制造至少一层掺杂剂层，其中具有配置在掺杂剂接受层上面和下面的掺杂剂；(b)制造阳极和阴极，以使掺杂剂接受层和掺杂剂层配置在该阳极和阴极之间；和(c)加热场致发光装置，使掺杂剂从掺杂剂层扩散到掺杂剂接受层中，形成掺杂剂在基质材料中均匀分散的发射层。
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