[发明专利]带无接点位线的闪速存储器单元及其制造方法

摘要

本发明公开了一种存储器单元阵列及其制造方法,其中,在基片上为多个存储器单元中的每一个形成浮动栅,控制栅成型在每一个浮动栅上面并与之垂直对准,源极区成型在两者之间的基片上,并与相邻单元中的浮动栅的第一边缘部分局部重叠,位线形成在相邻单元中浮动栅的第二边缘部分之间的基片中部,跨过控制栅、浮动栅、位线和源极区形成选择栅。

主权项

1.一种存储器单元阵列，包括：基片；多个存储单元，其中每个存储单元包括一个浮动栅和一个位于浮动栅之上并与之垂直对准的控制栅；成型在两者之间的基片上并被相邻单元中的浮动栅的第一边缘部分局部重叠的源极区；形成在相邻单元中浮动栅的第二边缘部分之间的基片中部的位线；以及跨越控制栅、浮动栅、位线和源极区的选择栅。