[发明专利]单晶GaN基体的制造方法和单晶GaN基体无效
| 申请号： | 01122442.8 | 申请日： | 2001-07-09 |
| 公开（公告）号： | CN1332480A | 公开（公告）日： | 2002-01-23 |
| 发明（设计）人： | 元木健作;笠井仁;冈久拓司 | 申请（专利权）人： | 住友电气工业株式会社 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;H01L21/20;C30B29/40 |
| 代理公司： | 柳沈知识产权律师事务所 | 代理人： | 范明娥 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明提供一种贯通转位密度小,而且在基体表面中不存在转位束,不产生劈开面紊乱的GaN基体制造方法和GaN基体。对GaN单结晶锭,在与生长方向平行的面处进行切片加工制作基体,由于转位走向平行于表面,形成低转位密度。将其作为晶种生长GaN。 | ||
| 搜索关键词： | gan 基体 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种单晶GaN基体的制造方法，特征是，在与GaN单晶生长中的生长方向平行的面处进行切片加工。
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