[发明专利]光电装置及制造方法无效
申请号: | 01123614.0 | 申请日: | 2001-08-10 |
公开(公告)号: | CN1340863A | 公开(公告)日: | 2002-03-20 |
发明(设计)人: | 塙平信夫;前羽昌佳;野村敏宏 | 申请(专利权)人: | 三洋电机股份有限公司 |
主分类号: | H01L31/00 | 分类号: | H01L31/00 |
代理公司: | 永新专利商标代理有限公司 | 代理人: | 黄剑锋 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 本发明提供一种光电装置及制法,使得输出引导至外部的导电材料很少断线。具有形成在绝缘基板10上的光电模块;与设置在基板10上的模块的导电胶状物端子50a、50d连通的孔穴10a、10d;经由孔穴与导电胶状物端子50a、50d电连接的导电材料52;以及覆盖基板10的背面侧的保护树脂薄膜82,在保护树脂薄膜82中与导电材料52相对的位置,具有比导电材料52的背面侧形状还大的开口85a、85d。还具有形成在绝缘基板10上的光电模块;设置在模块的导电胶状物50a、50d上,并且与之导通的导电材料53;以及覆盖模块的表面侧的保护树脂薄膜81。 | ||
搜索关键词: | 光电 装置 制造 方法 | ||
【主权项】:
1.一种光电装置,其特征为具有:形成在绝缘基板上的光电模块;与设置在前述基板上的前述模块的输出端子连通的孔穴;配置在前述基板的背面侧,通过该孔穴与前述输出端子电连接的导电材料;以及覆盖前述基板的背面侧的保护层,在前述保护层中与前述导电材料相对的位置,具有比前述导电材料的背面侧形状还大的开口。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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