[发明专利]半导体存储器无效
| 申请号： | 01123695.7 | 申请日： | 2001-09-11 |
| 公开（公告）号： | CN1347156A | 公开（公告）日： | 2002-05-01 |
| 发明（设计）人： | 内山洁;嶋田恭博;有田浩二;大槻达男 | 申请（专利权）人： | 松下电器产业株式会社 |
| 主分类号： | H01L27/04 | 分类号： | H01L27/04;H01L27/105 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人： | 汪惠民 |
| 地址： | 日本国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种半导体存储器,半导体衬底11上依次重叠有下部绝缘层14、浮置栅极15、铁电层16、上部绝缘层17以及栅电极18。上部绝缘层17比铁电层16对漏电流的绝缘性高。在FeFET型存储器中,能够抑制从铁电层流向栅电极的漏电流,而大幅度地改善保持特性。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 存储器 | ||
【主权项】：
1、一种半导体存储器，包括：栅电极隔着铁电层形成在半导体衬底上的场效应型晶体管，其中：在上述铁电层和上述栅电极之间形成有比上述铁电层对漏电流的绝缘性高的第1绝缘层。
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- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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