[发明专利]薄膜半导体器件与液晶显示单元及其制作方法有效
| 申请号： | 01124568.9 | 申请日： | 2001-08-10 |
| 公开（公告）号： | CN1338658A | 公开（公告）日： | 2002-03-06 |
| 发明（设计）人： | 桥本诚;佐藤拓生 | 申请（专利权）人： | 索尼株式会社 |
| 主分类号： | G02F1/136 | 分类号： | G02F1/136 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 王永刚 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 薄膜半导体器件包括多个彼此交叉的信号和栅极互连。置于交叉点处的像素至少有像素电极、薄膜晶体管和为薄膜晶体管遮光的光屏蔽带。光屏蔽带由第一导电层制成,它至少有一部分用作栅极互连。栅极由不同于第一导电层的第二导电层制成。用作栅极互连的第一导电层经接触孔与每个像素区中构成栅极的第二导电层电连接。这样就改善了用作有源矩阵液晶显示单元驱动衬底的薄膜半导体器件的像素孔径率。 | ||
| 搜索关键词： | 薄膜 半导体器件 液晶显示 单元 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
1.薄膜半导体器件，包括：多个信号互连和与所述信号互连交叉的多个栅极互连，以及置于所述信号和栅极互连交叉点处的像素，所述信号和栅极互连以及所述像素都设置在绝缘衬底上；其中每个所述像素包含至少一个像素电极、一个驱动所述像素电极的薄膜晶体管、以及为所述薄膜晶体管遮挡外部光的光屏蔽带；以及所述薄膜晶体管的源极与所述信号互连之一相连，所述薄膜晶体管的漏极与所述像素电极相连，而所述薄膜晶体管的栅极与所述栅极互连之一相连；其特征在于：所述光屏蔽带由第一导电层制成，且所述光屏蔽带至少有一部分被用作所述栅极互连；所述栅极是由不同于所述第一导电层的第二导电层制成的；以及用作所述栅极互连的所述第一导电层与每个像素区中构成所述栅极的所述第二导电层电连接。
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