[发明专利]半导体器件的制造方法有效

专利信息
申请号: 01124759.2 申请日: 2001-08-03
公开(公告)号: CN1337739A 公开(公告)日: 2002-02-27
发明(设计)人: 池谷浩司 申请(专利权)人: 三洋电机株式会社
主分类号: H01L21/66 分类号: H01L21/66;H01L21/50
代理公司: 中国专利代理(香港)有限公司 代理人: 刘宗杰,叶恺东
地址: 日本*** 国省代码: 暂无信息
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摘要: 一种半导体器件的制造方法,可以克服在通过以往的传递模塑制造单独的半导体器件的方法中,由于在传递模塑以后凌乱地分离为一个个半导体器件,因此需要使各个半导体器件对准一定的方向单独地进行特性的测定,增加多余的工艺并且浪费时间的缺点。本发明在粘贴在粘合片的状态下测定一个个半导体器件40的特性。这时,一个个半导体器件40沿一定方向对准并排列,进而,用照相机视野53捕捉半导体器件40a进行位置识别,省略与半导体器件40a相邻接的半导体器件40b、40c、40d、40e的位置识别工艺。具有大幅度地缩短作业时间而且提高生产性的特征。
搜索关键词: 半导体器件 制造 方法
【主权项】:
1.一种半导体器件的制造方法,该半导体器件在具有多个搭载部分的基板的该搭载部分的每一个上固定半导体芯片,用共同的树脂层把固定在上述各搭载部分的上述半导体芯片的每一个覆盖以后,使上述基板与上述树脂层搭接,粘贴在粘合片上,在粘贴在上述粘合片上的状态下进行切割以及测定,其特征在于:对上述半导体芯片之一的上述基板的外部电极进行位置识别,并且测定进行了位置识别的上述半导体芯片,同时对位于其周围的多个半导体芯片不进行位置识别而进行测定。
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