[发明专利]浅沟槽隔离的形成方法

摘要

一种半导体组件的制造中形成一浅沟槽隔离的方法首先提供一半导体底材，其上具有一垫氧层；然后，形成一氮化物层于垫氧层上；接着，形成且限定一光阻层于氮化物层上；之后，进行一残余蚀刻制程蚀刻氮化物层以形成一开口与一氮化物层的凸状残留物；然后，借助一顶部圆化制程蚀刻氮化物层的凸状残留物与半导体底材，以便于在半导体底材上形成圆角；随后，进行一沟槽形成制程以形成一具有圆角的沟槽；最后，进行后续制程以形成浅沟槽隔离。

主权项

1.一种形成一具有弧状表面的开口的方法，其特征在于，至少包含下列步骤：提供一半导体底材，所述半导体底材上具有一垫层于所述半导体底材上，与一介电层于所述垫层上；将一低聚合物气体当成一蚀刻剂进行一残余蚀刻制程以蚀刻所述介电层，且形成一开口于所述介电层中，并残余一所述介电层的凸状残留物于所述开口中的所述垫层上；与将所述凸状残留物当成一蚀刻面以及一中聚合物气体当成一蚀刻剂进行一顶部圆化制程以蚀刻所述凸状残留物与所述垫层以及所述半导体底材，且形成具有一弧状表面的所述开口于所述半导体底材上。