[发明专利]形成浅沟渠隔离的方法

摘要

一种形成浅沟渠隔离的方法包括提供一底材，其上具有第一介电层及第一导体层；形成第二介电层覆盖第一导体层；形成第二导体层覆盖第二介电层；形成一沟渠进入第二导体层、第二介电层、第一导体层、第一介电层与底材；共形生成一线性介电层覆盖沟渠；以一介电材料填满沟渠以形成一沟渠隔离；移除第二导体层；形成第三介电层覆盖第二介电层与沟渠隔离；非等向性蚀刻第三介电层与第二介电层以曝露出第一导体层；蚀刻第一导体层以曝露出第一介电层；蚀刻第一介电层以曝露出底材；及氧化底材。本发明不需再进行形成牺牲氧化层的制程步骤，组件隔离品质也不会受到影响，同时避免使用任何氮化硅材料以防范库依(Kooi)效应及氮化硅造成的底材应力。

主权项

1.一种形成浅沟渠隔离的方法，其特征在于，至少包含下列步骤：提供一底材，所述底材具有其上的一第一介电层于及于所述第一介电层上的一第一导体层；形成一覆盖所述第一导体层的第二介电层；形成一覆盖所述第二介电层的第二导体层；形成一沟渠进入所述第二导体层、所述第二介电层、所述第一导体层、所述第一介电层与所述底材；共形生成一覆盖所述沟渠的线性介电层；以一介电材料填满所述沟渠以形成一沟渠隔离；移除所述第二导体层；形成一覆盖所述第二介电层与所述沟渠隔离的第三介电层；非等向性蚀刻所述第三介电层与所述第二介电层以曝露出所述第一导体层；蚀刻所述第一导体层以曝露出所述第一介电层；蚀刻所述第一介电层以曝露出所述底材；及氧化所述底材。