[发明专利]双重金属镶嵌结构的制造方法有效
| 申请号： | 01129593.7 | 申请日： | 2001-06-28 |
| 公开（公告）号： | CN1393923A | 公开（公告）日： | 2003-01-29 |
| 发明（设计）人： | 陈中泰 | 申请（专利权）人： | 旺宏电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768;H01L21/28 |
| 代理公司： | 北京集佳专利商标事务所 | 代理人： | 王学强 |
| 地址： | 台湾省新竹*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 一种双重金属镶嵌结构的制造方法，在具有双重金属镶嵌开口的半导体结构上形成阻障层与一层晶种层且覆盖此双重金属镶嵌开口；然后在晶种层上形成一层保护层且填满此双重金属镶嵌开口；并以晶种层为蚀刻终止层对保护层进行回蚀；接着去除暴露出的铜晶种层，再完全去除保护层；最后在双重金属镶嵌开口中形成一金属层并填满该双重金属镶嵌开口。 | ||
| 搜索关键词： | 双重 金属 镶嵌 结构 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种双重金属镶嵌结构的制造方法，其特征在于：该方法包括：提供一半导体结构；在该半导体结构上形成一罩幕层；在该半导体结构上形成一双重金属镶嵌开口；在该半导体结构上形成一阻障层且覆盖该双重金属镶嵌开口；在该半导体结构上形成一晶种层且覆盖该阻障层上；在该半导体结构上形成一保护层，以覆盖填满该双重金属镶嵌开口，并且覆盖在该罩幕层上方的该晶种层的表面上；利用回蚀并以该晶种层作为蚀刻终止层，去除部分该保护层，以裸露出该罩幕层上方的该晶种层；去除该双重金属镶嵌开口以外的部分该晶种层；完全去除该保护层；利用电镀法在该晶种层上形成一金属层，以填满该双重金属镶嵌开口，形成该双重金属镶嵌结构。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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