[发明专利]半导体芯片设计方法有效
| 申请号： | 01138536.7 | 申请日： | 2001-11-15 |
| 公开（公告）号： | CN1353454A | 公开（公告）日： | 2002-06-12 |
| 发明（设计）人： | 约翰·M·科恩;阿尔瓦·A·迪安;戴维·J·哈萨卫;戴维·E·拉基;托马斯·M·莱普西克;苏珊·K·利希滕斯泰格;斯科特·A·泰特劳尔特;塞巴斯蒂安·T·文特伦 | 申请（专利权）人： | 国际商业机器公司 |
| 主分类号： | H01L21/70 | 分类号： | H01L21/70;H01L27/00 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 黄小临,王志森 |
| 地址： | 美国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 公开了电压岛的逻辑和物理构形。半导体芯片结构被分割成作为设计区域的仓室。半导体芯片结构可被切割成各个区域,并被赋予各种电压电平。每个仓室可看作电压岛。设计中的电路被加到各个仓室中或从中移出,由此提高或降低电路的速率和功率如电路置于被赋予较高电压的仓室,则速率和功率提高,如放到具有较低电压的仓室,则降低速率和功率。也可以改变仓室的尺寸和位置。通过重复这些步骤,可满足最佳功耗,同时满足速率限制和其它标准。本发明可适用于诸如退火布局工具之类的任何布局环境,它是通过在设计上连续精细调整电路位置而进行的,并且该布局处理可被中断以改变逻辑布局。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 芯片 设计 方法 | ||
【主权项】：
1、一种用于进行半导体芯片设计的方法，其特征在于，包括以下步骤：给一组电路赋予多个电压电平的第一电压电平；将该组电路分割成多个仓室；给仓室之一赋予多个电压电平的第二电压电平；和给一个仓室内的电路赋予第二电压电平。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
